霹雳小说馆>玄幻>冰糖炖雪梨小说txt百度云 > 第3章 D闪存技术!
    “他们的研发思路是没有错,只要稍微🝪🍿修正一下设计🁈🃳,这样可以把制备流程缩短30%,生产本钱会大幅降落,以后良品率也会很轻易上往。”

    “杨少你真是天才,一眼就看出🌳了这里🝪🍿面的问题,连如何修正都想好📑🚇👒了,有你这样的天才,我想国外那些闪存大厂要掉眼泪了。”

    杨杰哈哈笑一笑,老天爷好不轻易让♋🆸🔗自己重生一回📪🝦,自己手头上有大批的技巧专利,不拿出利🀭⛪用那简直太暴殄天物了!

    “我都猜忌杨少你上辈子♗🈤是不是搞i♋🆸🔗c的?这🌷🃱🛧辈子是带着记忆投胎?为什么有着如此多的想法?”

    “👲🌵谭🍒🇠🙹总你可是还科学家呢♗🈤!怎么还信任这一套!”

    谭云松笑了起来:“没措施,国内在半导体产业上有着如此快速的提升,这就⚒是一个奇迹呀!根本没措施用科学来解释。”

    “这不🟇🛂是谭总最盼看看到的成果么。”杨杰笑着道。

    越日,杨杰也是涌现在了新蓝科技公司的研发中心,会议🚈👝室里面坐满了公司研发部分的技巧工程师,中间还有二十多名的美国的工程师。

    他指着投影屏幕上自制的ppt说道♋🆸🔗:“大家看啊,这个多晶硅栅下面是三层尽缘薄膜,这三层薄膜🛖🜘🂗分辨是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层,其中氮化硅具有极高的电子陷阱密度,可以捕捉电子,达到存储电荷的目标,带电就是1,不带电就是0。”

    杨杰持续说道:“氮化硅之前只是用在对底层金属实现笼罩,由于针孔很少,对水🟡🞫🗈汽和钠在氮化硅材料中扩散非常慢,这次我们将氮化硅注进沟道边沿。”

    他看到众人都是露出了困惑的表情,笑着解释道:“我们都知道半导体中有两种载流子,一种是电子,一种是空穴,在对单元进行写进操作时,采用热电子注进法,将热🝬🎎🏹电子注进沟道边沿的氮化硅,这样就完成了写进过程,在作擦除时,利用价带间的空穴,将空穴注进沟道边沿的氮化硅,打消电荷,就完成了擦除。

    “由于氮化硅的尽缘性,热电子效应产生的电子只能被注进并限制在沟道边沿。正是这样,两侧沟道一旦部带电就是11,部不带电就是00,但是我们一旦把🌰两侧沟道其中一侧进行单独擦除,就会涌现四种情况,一种是01,一种是10,于是我们就在不进行复杂工艺转变的条件下,让现有的闪存容量增长了一倍。”

    “在这个基础上,我们可以今后发展出多电压把持栅极多层注进电荷技巧产品,实现多层的堆叠,可以用这种技巧在现有的制程工艺上最大限度地🅩增长闪存的容量,而不是完整🛾依附制程工艺的提升,这也大大地降低了闪存的本钱。”

    听到这里,会议室里一片哗然,众人都🝪🍿是无比惊喜,韩小龙🂲💰🕟此☔⚱🕎时激动地鼓掌,随后大家都是随着用力地鼓起掌来。

    “杨少你太神了!我们⚖得赶紧实验!赶紧写论文申请专利!”韩小龙激动地说道。

    “杨先生,你的假想太完善了!我感到可行!真的可行!这个门路怎么以前就没人想到呢!📐🙼🏯你真是天才!”

    此时🍒🇠🙹好几个美国工程师都是激动地站起🝪🍿来嚷嚷。

    “杨少,我有个问题,这种技巧路线的确让一个存储单位可以承载四个信息,比以前翻了一倍,可接下来怎么读取呢?”一个工程师举起手问道⛳🞝🕉。🅩

    “这四种🀻🁽情况的电压是不同的呀,我们只要设计出一套解码电路,☡用于读取并解析数据就行,具体的解码🁂🂼🔈电路还需要你们往设定。”杨杰笑着道。

    “杨少,我们马上对解码♗🈤电路进行设计,我差未几有了想法,我保证下一周把芯片设计拿出来,随后就能进行制程工艺流程的设计,最晚月♦🊭📧底,我们就可以进行第一次工程流片!”